基本信息

定义：钼片是一种由金属钼加工而成的薄片材料。

外观：通常呈黑褐色，经碱洗或化学清洗后呈银灰色金属光泽，表面光滑、平整，无重皮、分层、裂纹、裂边、杂质夹入等缺陷。

尺寸规格：厚度一般在 0.01 至 2 毫米之间，也有更厚的情况；宽度从 10 毫米到 1000 毫米不等，长度可达 2000 毫米或根据需求裁剪。

性能特点

物理性能：具有较高的熔点，约为 2620°C，在高温环境中能保持稳定；密度为 10.28 克 / 立方厘米，硬度较高；热膨胀系数较低，尺寸稳定性好，在温度变化下不易发生变形；具有良好的热导率和电导率，能有效传导热量和电流。

化学性能：在室温下能抵抗稀酸（如盐酸）和碱的腐蚀，在多种化学环境下展现出良好的耐腐蚀性能，特别是对于高温下的抗氧化性能较好，化学稳定性较高。

机械性能：抗拉强度较高，具有较好的延伸性能与抗蠕变性能，在高温下仍能保持其结构完整性，机械强度高且韧性良好。

生产工艺

粉末冶金法：选用高纯度钼粉，通过高压成型制成坯料，随后在真空或氢气氛围中于约 2000°C 烧结，使密度达到理论值的 90-95%，接着通过热锻或热轧进一步压实，再经冷轧精加工至所需厚度，最后退火消除内应力，通过抛光或酸洗使表面光洁度达标。

轧制工艺：包括热轧和冷轧。先对钼坯进行检验，然后进行热轧，再经过校平及退火、碱洗等工序，接着进行温扎、真空退火，之后进行冷轧、校平、剪切、真空退火等，最终检验包装。

应用领域

电子信息产业：被用作溅射靶材以沉积薄膜，作为与硅热匹配的基板或制作引线框架，要求高纯度和极佳的平整度。

高温炉领域：作为反射屏、发热带和连接件，利用其高熔点和导热性，可提升真空炉内温度均匀性，广泛应用于蓝宝石晶体生长、金属热处理、半导体制造等领域。

航空航天领域：可用作高温结构材料和热屏蔽，在高温下能保持良好的机械强度和热稳定性，确保飞行器等设备的长期可靠性。

核能领域：因其高熔点和抗辐射特性，被广泛应用于核反应堆的关键部件，如燃料包壳、控制棒等。

化工领域：在一些腐蚀性环境下的化工设备中，可作为耐腐蚀部件，如反应釜内衬、管道等，因其良好的耐腐蚀性能够抵抗化学物质的侵蚀。

钼片的技术参数是衡量其性能和适用性的关键指标，涵盖纯度、尺寸精度、力学性能、物理性能等多个方面，不同应用场景对参数的要求差异较大。以下是详细的技术参数分类说明：

一、纯度参数

纯度是钼片的核心指标，直接影响其导电、导热、耐高温及化学稳定性，通常以钼元素含量或杂质含量表示：

高纯度钼片：钼含量≥99.95%，常见杂质（如 Fe、Al、Si、Cu、Ni 等）总含量≤50ppm（百万分之一），适用于电子、半导体、核能等高端领域。

普通纯度钼片：钼含量 99.9%~99.95%，杂质总含量 50ppm~100ppm，可用于高温炉、化工等对纯度要求稍低的场景。

备注：纯度通过辉光放电质谱（GDMS）或惰性气体熔融法等检测，杂质含量需严格控制以避免影响性能（如杂质会降低高温强度或导致脆化）。

二、尺寸规格参数

尺寸精度直接影响钼片的装配和使用效果，主要包括：

厚度：

常规范围：0.01mm（超薄）~5mm，特殊需求可定制至 10mm 以上。

公差：高精度钼片厚度公差≤±0.005mm（如电子靶材），普通钼片≤±0.02mm~±0.1mm。

宽度与长度：

宽度：10mm~1000mm，可根据需求裁剪（如卷状钼片宽度可达 1200mm）。

长度：单张片长通常≤2000mm，卷状可按需定制长度。

公差：宽度 / 长度公差一般为 ±0.5mm~±2mm，高精度场景（如溅射靶材）可控制在 ±0.1mm 以内。

平面度：

高端应用（如半导体基板）要求平面度≤0.1mm/m（每米长度内弯曲度不超过 0.1mm），普通场景≤0.5mm/m。

表面粗糙度（Ra）：

抛光表面：Ra≤0.05μm（用于溅射靶材、精密电极）。

普通表面：Ra≤0.8μm~3.2μm（如高温炉部件）。

三、力学性能参数

钼片的力学性能与其加工状态（退火 / 冷轧）密切相关，关键指标包括：

性能指标 冷轧态（高强度） 退火态（高塑性）

抗拉强度（MPa） 500~800 300~500

延伸率（%） ≤5（脆性较高） 10~30（塑性良好）

硬度（HV） 180~250 80~150

备注：退火温度通常为 1000~1200℃（真空或氢气氛围），目的是消除冷轧内应力，提升塑性；冷轧态钼片适用于要求高强度的结构件，退火态适用于需要弯曲、冲压的场景。

四、物理性能参数

熔点：约 2620℃（高熔点特性使其适用于高温环境）。

密度：10.2~10.3g/cm³（烧结态略低，轧制后接近理论密度 10.28g/cm³）。

热导率：

20℃时：约 138W/(m・K)。

1000℃时：约 73W/(m・K)（高温下仍保持较好导热性）。

热膨胀系数：

20~100℃：约 5.1×10⁻⁶/℃。

20~1000℃：约 6.8×10⁻⁶/℃（低膨胀特性，尺寸稳定性好）。

电阻率：

20℃时：约 5.2×10⁻⁸Ω・m（良好导电性，适用于电极、引线）。

抗氧化性：室温下稳定，600℃以上空气中开始氧化，需在真空、惰性气体或氢气氛围中使用（高温场景可涂覆抗氧化涂层）。

五、其他关键参数

晶粒度：

冷轧态：细晶粒（晶粒尺寸≤10μm），强度高。

退火态：可控制晶粒尺寸（50~200μm），平衡强度与塑性。

弯曲性能：退火态钼片可承受 180° 弯曲（半径为厚度的 2~3 倍）不破裂，冷轧态弯曲易断裂。

耐腐蚀性：室温下耐稀盐酸、硫酸、碱溶液腐蚀，不耐硝酸和王水。

以上参数需根据具体应用场景（如电子、高温炉、航空航天等）进行定制，选购时需明确纯度、尺寸公差、力学状态等核心指标，并要求供应商提供材质证明（如 ICP-MS 杂质检测报告、力学性能测试报告）。